메모리 새로 고침은 무엇입니까?

memory Memory Refresh는 컴퓨터 랜덤 액세스 메모리 (RAM)가 정기적으로 진행되는 충전주기입니다.컴퓨터가 데이터를 읽으면 정보는 각각 1 또는 0으로 저장됩니다.1 섹션이 에너지를 잃지 않고 정보가 RAM에서 사라지지 않도록하기 위해 메모리의 섹션이 재충전됩니다.메모리 새로 고침주기가 발생하지 않으면 컴퓨터에서 읽은 정보는 몇 밀리 초 안에 사라집니다.모든 유형의 RAM이 새로 고침주기를 거치지 만 DRAM (Dynamic Random Access Memory)은 각 데이터에 대한 커패시터 장치를 가지고 있기 때문에 가장 자주 수행합니다.

컴퓨터가 응용 프로그램을 열고 데이터를 통과하거나 무엇이든 할 때이진의 정보를 읽습니다.바이너리는 1과 0으로 구성된 컴퓨터 언어이며, 1 개의 의미와 0이 의미가 있습니다.0이있을 때, 해당 정보의 일부는 꺼져 있기 때문에 전하가 필요하지 않습니다.1이 있으면 메모리를 켜기 위해 전하가 필요합니다.전기 전하를 사용하면 메모리가 사용자가 요청한 정보를 표시 할 수 있습니다.메모리 새로 고침이 없으면 충전이 사라지고 RAM의 모든 섹션을 0으로 돌리며 정보를 오랫동안 표시하거나 저장할 수 없습니다.충전이 완전히 사라지려면 몇 밀리 초 밖에 걸리지 않습니다.

이 문제를 해결하려면 메모리 컨트롤러 장치 또는 CPU (Central Processing Unit)가 모델에 따라 RAM을 방문합니다.1으로 표시된 모든 섹션은 섹션에 전원을 공급하지 않도록 전하를받습니다.이 프로세스는 사용자 명령없이 자동으로 진행되며 한 초 만에 수천 번 발생합니다.메모리 새로 고침을 통해 컴퓨터는 모든 정보를 보유 할 수 있습니다.그러나 많은 상쾌한 상쾌함으로 인해 이것은 상당한 양의 전력을 배출하고 컴퓨터를 느리게 만듭니다.DRAM과 다른 RAM 장치의 주요 차이점은 각 데이터의 각 섹션을 별도의 커패시터 장치에 보관하도록 구성된다는 것입니다.이로 인해 정보를 쉽게 보관할 수 있지만 메모리 새로 고침 사이클이 DRAM 스틱을 재충전하지 않으면 더욱 변동성이 높아집니다.